AI大爆炸的時(shí)代，AI功能已經(jīng)慢慢在融入到我們生活中，手機(jī)AI修圖，寫(xiě)文章時(shí)的AI潤(rùn)色等等。而針對(duì)兒童市場(chǎng)、基于AI大模型，能夠進(jìn)行對(duì)話(huà)的AI玩具也悄然上新。兒童用品安全永遠(yuǎn)是第一位，兒童玩具電源保障，可以放心選擇深圳銀聯(lián)寶科技綠色安全的充電器芯片U7575！

充電器芯片U7575集成了高壓?jiǎn)?dòng)模塊。下圖是U7575的一種高壓?jiǎn)?dòng)電路方式。芯片HV管腳連接到整流橋后的BUS電容上。啟動(dòng)時(shí)，芯片內(nèi)部的高壓?jiǎn)?dòng)模塊使能，內(nèi)部高壓電流源給VDD電容充電。VDD小于2V時(shí)，HV供電電流為0.5mA，VDD大于2V時(shí)，HV供電電流增加到5mA。VDD電壓增加到芯片開(kāi)啟電壓12V(典型值)時(shí)，芯片開(kāi)始工作并且芯片工作電流增加到2mA(典型值)。之后VDD電容持續(xù)為芯片供電直至輸出電壓建立后由輔助繞組Na為芯片供電。

充電器芯片U7575利用檢測(cè)流經(jīng)外部高壓MOSFET漏極和門(mén)極間寄生的米勒電容Crss的放電電流實(shí)現(xiàn)副邊電感電流消磁點(diǎn)的檢測(cè)。當(dāng)電感電流續(xù)流到零后，電感和高壓MOSFET的輸出電容開(kāi)始諧振過(guò)程。此過(guò)程中MOSFET的Drain端電壓開(kāi)始下降，同時(shí)會(huì)有一由地到MOSFET Drain端的負(fù)向電流流經(jīng)Crss電容。反之，當(dāng)MOSFET關(guān)斷Drain端電壓上升時(shí)，會(huì)有一正向電流流經(jīng)Crss電容。芯片利用檢測(cè)到的流經(jīng)Crss電容的負(fù)向電流實(shí)現(xiàn)了副邊電感電流過(guò)零點(diǎn)的檢測(cè)。

充電器芯片U7575主要特性：

1. 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能

2. 可支持?jǐn)嗬m(xù)模式、連續(xù)模式的原邊恒流技術(shù)

3. ±5%恒流精度；±1%恒壓精度

4. 待機(jī)功耗<50mW

5. 內(nèi)置斜波補(bǔ)償電流模式控制固定

6. 65kHz開(kāi)關(guān)頻率頻率抖動(dòng)功能優(yōu)化EMI

7. 綠色省電模式和打嗝模式工作

8. 超低啟動(dòng)和工作電流

9. 集成自恢復(fù)模式的保護(hù)功能：VDD欠壓保護(hù)(VDD UVLO)、VDD過(guò)壓保護(hù)(VDD OVP)、輸出過(guò)壓保護(hù)(CS OVP)、短路保護(hù)(SCP)、逐周期電流限制、過(guò)載保護(hù)(OLP)、前沿消隱(LEB)

10. 封裝類(lèi)型 SOP-8

深圳銀聯(lián)寶科技充電器芯片因其較高的性?xún)r(jià)比和穩(wěn)定的性能，在電源市場(chǎng)上受到很多客戶(hù)追捧，近期推出的氮化鎵芯片詢(xún)價(jià)量和搜索量均出現(xiàn)了顯著增長(zhǎng)，有需要的小伙伴可直接聯(lián)系銀聯(lián)寶，尋找更貼合您需求的電源芯片方案！