U7116同步整流芯片極簡的外圍和貼片封裝特別適合高功率密度應用，如手機快速充電器，適配器，小體積電源等，是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關，可以在GaN系統中替代肖特基整流二極管以提高系統效率。

U7116同步整流芯片內置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩定工作，系統上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統性能和成本。U7116的快速關斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應力，可支持斷續工作模式(DCM)、準諧振工作模式(QR)及連續工作模式(CCM)。其內部集成有智能的開通檢測功能，可以有效防止反激電路中寄生參數振蕩引起的同步整流開關誤開通。

PCB設計對同步整流的性能會產生顯著影響，設計同步整流電路時建議參考詳細規格書的布局設計，包含U7116同步整流芯片、變壓器副邊引腳和輸出濾波電容等。

1.副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。

2.VDD電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。

3.HV到Drain建議串聯30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV檢測點位置對CCM應力有影響，HV檢測點離Drain引腳越遠，CCM應力越小。High Side 配置中，建議HV通過R2電阻連接到輸出電容的正端。

4.R1和C1構成同步整流開關的RC吸收電路，RC吸收回路Loop3的面積可能小。

5.Drain 引腳的PCB散熱面積盡可能大。

6.SOP-8的封裝框架與Drain引腳電位相同，芯片切筋后，框架金屬有少量暴露，考慮到絕緣要求，外圍元器件應與IC本體保持0.2mm以上的絕緣距離。

U7116同步整流芯片采用SOP-8封裝。在輸出電壓3~21V時，推薦輸出電流≤3A，具體腳位如下：

1 HV I 漏極檢測引腳。HV到Drain建議串聯30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。

2 VDD P IC 供電引腳，VDD到GND建議放置一個1μF的貼片陶瓷電容。

3, 4 GND G IC 參考地。

5,6,7,8 Drain P 內置功率MOSFET漏極。

由于不同的應用場景和設備對功率級別和性能特征有著不同的要求，深圳銀聯寶科技研發了多款同步整流芯片及主控芯片，多樣性能夠充分滿足各種應用需求。保障客戶在項目一開始就能選擇適合的芯片，而無需從頭開始設計和開發不同的整流電路，從而降低了設計時間和開發成本！