同步整流技術(shù)采用導(dǎo)阻更低的MOSFET來(lái)替代傳統(tǒng)的肖特基二極管，從而大幅降低了整流電路的損耗。不僅提高了電源的整體效率，還滿足了當(dāng)今高功率快充技術(shù)對(duì)于體積方面的嚴(yán)苛要求。深圳銀聯(lián)寶科技的這一款PD快充應(yīng)用同步整流icU7612B，帶快速關(guān)斷功能，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7612B內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。

同步整流icU7612B主要特點(diǎn)：

●內(nèi)置 60V MOSFET

●支持 DCM、QR 和 CCM 工作模式

●集成高壓供電電路，無(wú)需 VDD 輔助繞組供電

●支持寬范圍輸出電壓應(yīng)用，特別適用于支持QC、PD 等協(xié)議的快充領(lǐng)域

●支持 High Side 和 Low Side 配置

●<30ns 開(kāi)通和關(guān)斷延時(shí)

●智能開(kāi)通檢測(cè)功能防止誤開(kāi)通

●智能過(guò)零檢測(cè)功能

●啟動(dòng)前 Gate 智能鉗位

●封裝類(lèi)型 SOP-8

●典型應(yīng)用：

PD快充應(yīng)用

適配器

同步整流icU7612B PCB設(shè)計(jì)建議：

●副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。

●VDD 電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。

●HV 到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV檢測(cè)點(diǎn)位置對(duì)CCM應(yīng)力有影響，HV檢測(cè)點(diǎn)離Drain引腳越遠(yuǎn)，CCM應(yīng)力越小。High Side配置中，建議HV通過(guò)R2電阻連接到輸出電容的正端。

●R1和C1構(gòu)成同步整流開(kāi)關(guān)的RC吸收電路，RC吸收回路Loop3的面積可能小。

●Drain 引腳的PCB散熱面積盡可能大。

●SOP-8的封裝框架與Drain引腳電位相同，芯片切筋后，框架金屬有少量暴露，考慮到絕緣要求，外圍元器件應(yīng)與IC本體保持0.2mm以上的絕緣距離。

同步整流ic U7612B的快速關(guān)斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應(yīng)力，可支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。其內(nèi)部集成有智能的開(kāi)通檢測(cè)功能，可以有效防止反激電路中寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開(kāi)關(guān)誤開(kāi)通。

同步整流icU7612B有著廣泛應(yīng)用，通過(guò)采用同步整流技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)更高效、更穩(wěn)定的電壓轉(zhuǎn)換和傳輸，確保充電設(shè)備能夠?yàn)橛脩籼峁└鼉?yōu)質(zhì)的產(chǎn)品使用體驗(yàn)！