E-GaN電源芯片U8722EE，推薦搭配銀聯寶同步整流芯片U7110W、U7612A，分別可做PD 45W、PD 30W方案，可極大的優化系統EMI性能，非常適用于寬輸出電壓的應用場景！

■PD45W方案：U8722EE+U7110W

針對寬輸出電壓應用場合，為了滿足VDD的寬電壓應用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導致系統功耗和電路成本的增加。E-GaN電源芯片U8722EE集成了Boost供電技術，僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可，在輸出電壓較低時，Boost電路啟動工作，維持VDD電壓在VBOOST_REG (典型值10V/10.2V)，當輸出電壓升高，輔助繞組電壓高于VBOOST_REG時，Boost電路停止工作，VDD由輔助繞組供電。

同步整流芯片U7110W是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關，可以在GaN系統中替代肖特基整流二極管以提高系統效率。U7110W內置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩定工作，系統上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統性能和成本。U7110W的快速關斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應力，可支持斷續工作模式(DCM)、準諧振工作模式(QR)及連續工作模式(CCM)。U7110W內部集成有智能的開通檢測功能，可以有效防止反激電路中寄生參數振蕩引起的同步整流開關誤開通。

■PD30W方案：U8722EE+U7612A

E-GaN電源芯片U8722EE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV(典型值6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此U8722EE通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaN FET的開通速度，系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。

在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON(典型值4.5V)之前，同步整流芯片U7612A處于關機狀態。內部Gate智能鉗位電路可以保證內置MOSFET不會發生高dv/dt導致的誤開通。當VDD電壓達到 VDD_ON之后，U7612A啟動，內部控制電路開始工作，副邊繞組電流Is經內置MOSFET的溝道實現續流。當VDD電壓低于欠壓保護閾值VDD_OFF(典型值3.3V)后，芯片關機，副邊繞組電流Is經內置MOSFET的體二極管實現續流。