全電壓電源支持AC85-265V寬幅電壓，可覆蓋絕對大部分國家和地區的電網標準，避免因電壓不匹配導致設備損壞或無法使用的問題。且適用于各類電子設備，尤其適合出口產品或跨區域使用的場景，提升產品適用范圍。今天推薦的E-GaN電源芯片U8722BAS+同步整流芯片U7612B，就是一款高效低耗的全電壓電源應用方案，體驗好，成本低！

E-GaN電源芯片U8722BAS特點：

●集成高壓E-GaN

●集成高壓啟動功能

●超低啟動和工作電流，待機功耗<30mW

●谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)

●集成EMI優化技術

●驅動電流分檔配置

●集成Boost供電電路

●集成完備的保護功能：

VDD過壓/欠壓保護(VDD OVP/UVLO)

輸出過壓保護(OVP)

輸入欠壓保護(BOP)

片內過熱保護(OTP)

逐周期電流限制(OCP)

異常過流保護(AOCP)

短路保護(SCP)

過載保護(OLP)

過流保護（SOCP）

前沿消隱(LEB)

CS管腳開路保護

●封裝類型ASOP7-T4

同步整流芯片U7612B特點：

●內置60V MOSFET

●支持DCM、QR和CCM工作模式

●集成高壓供電電路，無需VDD輔助繞組供電

●支持寬范圍輸出電壓應用，特別適用于支持QC、PD 等協議的快充領域

●支持High Side和Low Side配置

●<30ns開通和關斷延時

●智能開通檢測功能防止誤開通

●智能過零檢測功能

●啟動前Gate智能鉗位

●封裝類型SOP-8

同步整流芯片U7612B PCB設計建議：

1) 副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。

2) VDD 電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。

3) HV 到Drain建議串聯30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV檢測點位置對CCM應力有影響，HV檢測點離Drain引腳越遠，CCM應力越小。High Side配置中，建議HV通過R2電阻連接到輸出電容的正端。

4) R1和C1構成同步整流開關的RC吸收電路，RC吸收回路Loop3的面積可能小。

5) Drain 引腳的PCB散熱面積盡可能大。

6) SOP-8的封裝框架與Drain引腳電位相同，芯片切筋后，框架金屬有少量暴露，考慮到絕緣要求，外圍元器件應與IC本體保持0.2mm以上的絕緣距離。

深圳銀聯寶這款E-GaN電源芯片U8722BAS+同步整流芯片U7612B全電壓應用方案，無需針對不同電壓設計多種電源型號，降低廠商生產及倉儲成本，簡化供應鏈管理，可使收益最大化，推薦給有需要的小伙伴們！