對于功率電源領域的發展趨勢而言，更高的系統效率以及更高的功率密度已經成為各大公司及其設計人員所要達到的首要目標。高性能的電源系統設計中，可靠性至關重要。搭配深圳銀聯寶科技的同步整流ic U7712，可以幫助最大化電源能效，并使系統盡可能緊湊、簡單和具性價比。那么今天就帶大家了解下這款用于替代 Flyback 副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關——15W同步整流icU7712！

15W同步整流icU7712內置超低導通阻抗功率MOSFET以提升系統效率。支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構，也支持系統斷續工作模式(DCM) 和準諧振工作模式 (QR)。U7712集成有VDD欠壓保護功能和VDD電壓鉗位。U7712內置VDD高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電，減低了系統成本。

15W同步整流icU7712主要特性：

&反激拓撲副邊同步整流功率開關

&支持“浮地”和“共地”同步整流兩種拓撲

&支持斷續工作模式 (DCM) 和準諧振工作模式(QR)

&<300uA 超低靜態電流

&內置VDD高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電

&內置 40V 功率 MOSFET

&內部集成保護：VDD 欠壓保護 (UVLO)、VDD 電壓鉗位 (>5mA 鉗位電流)

&封裝信息 SOP-8

系統開機以后，15W同步整流icU7712內部高壓LDO從Drain管腳抽取電流向VDD電容供電。當VDD電壓低于欠壓保護閾值后（3.1V 典型值），ic進入睡眠模式，同時內部同步整流MOSFET進入關斷狀態，副邊繞組電流經內部同步整流MOSFET的體二極管實現續流。當VDD電壓高于VDD開啟電壓后（4V典型值），ic開始工作。ic內部同步整流MOSFET只在副邊續流期間才能開通。

在內部同步整流 MOSFET 開通瞬間，15W同步整流icU7712漏-源(Drain-Source) 之間會產生電壓尖峰。為避免此類電壓尖峰干擾系統正常工作導致ic誤動作，ic內部集成有前沿消隱電路(LEB)。在LEB時間（約 1us）內，關斷比較器被屏蔽，無法關斷內部同步整流MOSFET，直至消隱時間結束。

使用深圳銀聯寶科技的開關電源芯片和同步整流ic，有效降低損耗，提升效率。欲了解更多、更詳細的內容，敬請登錄http://www.ikbgh.cn/。