同步整流ic的開通關(guān)斷機制核心依賴于漏源電壓的精確檢測，以實現(xiàn)高效整流并避免共通故障等風險。其電壓關(guān)系具體體現(xiàn)在開通和關(guān)斷閾值的設計上，確保MOSFET在適當時機導通或截止，從而取代傳統(tǒng)二極管以降低損耗。

同步整流icU7606是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7606內(nèi)部集成有智能開通檢測功能，可以有效防止反激電路中由于寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開關(guān)誤開通，提高了系統(tǒng)效率及可靠性。

變壓器副邊續(xù)流階段開始時，同步整流內(nèi)置MOSFET的溝道處于關(guān)閉狀態(tài)，副邊電流Is經(jīng)MOSFET體二極管實現(xiàn)續(xù)流，同時在體二極管兩端形成一負向Vds電壓(<-500mV)。當負向Vds電壓小于同步整流icU7606內(nèi)置MOSFET開啟檢測閾值Vth_on(典型值-140mV)，經(jīng)過開通延遲Td_on (典型值20ns)，內(nèi)置MOSFET的溝道開通。

在同步整流內(nèi)置MOSFET導通期間，同步整流ic U7606采樣MOSFET漏-源兩端電壓(Vds)。當Vds電壓高于MOSFET關(guān)斷閾值Vth_off(典型值 0mV)，經(jīng)過關(guān)斷延遲Td_off(典型值 15ns)，內(nèi)置MOSFET的溝道關(guān)斷。

PCB設計對同步整流的性能會產(chǎn)生顯著影響，同步整流icU7606設計同步整流電路時建議參考以下的內(nèi)容。

1、副邊主功率回路 Loop1的面積盡可能小。

2、VDD 電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。

3、R1和C1構(gòu)成同步整流開關(guān)的RC吸收電路，RC吸收回路 Loop3 的面積可能小。

同步整流icU7606通過電壓閾值檢測和智能延時管理來優(yōu)化性能，同時內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本，以最大化電源轉(zhuǎn)換效率！