電子技術的發展過程中，電源管理芯片制造過程一般包括電源芯片設計、 晶片制作、封裝制作、測試等幾個環節,其中晶片制作過程尤為的復雜,首先是集成電路芯片設計,根據設計的需求,生成的“圖樣”。
開關電源管理芯片的原料晶圓:晶圓的成分是硅,硅是由石英沙所精練出來的,晶圓便是硅元素加以純化電源管理芯片的原料晶圓:晶圓的成分是硅,硅是由石英沙所精練出來的,晶圓便是硅元素加以純化片制作具體所需要的晶圓。晶圓越薄,生產的成本越低,但對工藝就要求的越高。
晶圓涂膜:晶圓涂膜能抵抗氧化以及耐溫能力,其材料為光阻的- -種。
晶圓光刻顯影、蝕刻:該過程使用了對紫外光敏感的化學物質,即遇紫外光則變軟。通過控制遮光物的位置可以得到遮光物,使得紫外光直射的部分被溶解,這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蝕劑,使得其遇紫外光就會溶解。這時可以用上份遮光物,使得紫外光直射的部分被溶解,這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物
摻加雜質:將晶圓中植入離子,生成相應的P、N類半導體，具體工藝是是從硅片上暴露的區域開始,放入化學離子混臺液中。這一工藝將改變攙雜區的導電方式,使每個晶體管可以通、斷、或攜帶數據。簡單的芯片可以只用一-層,但復雜的芯片通常有很多層,這時候將這程不斷的重復 ，不同層可通過開啟窗口聯接起來。這一點類似多層PCB板的制作原理。更為復 雜的芯片可能需要多個二氧化硅層,這時候通過重復光刻以及上面流程來實現,形成一個立體的結構。
晶圓測試:經過上面的幾道工藝之后,晶圓上就形成了一一個個格狀的晶粒。通過針測的方式對每個晶粒進行電氣特性檢測。一般每 個芯片的擁有的晶粒數量是龐大的,組織- -次針測試模式是非常復雜的過程,這要求了在生產的時候盡量是同等芯片規格構造的型號的大批量的生產。數量越大相對成本就會越低,這也是為什么主流芯片器件造價低的-一個因素。
封裝:將制造完成晶圓固定,綁定引腳,按照需求去制作成各種不同的封裝形式,這就是同種芯片內核可以有不同的封裝形式的原因。比如: DIP、QFP、 PLCC、QFN等等。這里主要是由用戶的應用習慣、應用環境、市場形式等外圍因素來決定的。
測試、包裝:經過上述工藝流程以后,電源芯片制作就已經全部完成了, 這一步驟是將開關電源管理芯片進行測試、剔除不良品,以及包裝。