- 05-22 2025
- 65W集成EMI優化技術的E-GaN電源芯片U8722FE E-GaN電源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型號，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐壓700V，推薦功率60W，采用的是ESOP-7封裝，具體腳位如下： 1 CSI/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB P 系統反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管腳 5 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極管腳 6,7 GND P 芯片參考地 8 DRAIN P 內置高壓 GaN 查看詳情
- 05-22 2025
- 全電壓！PD 20W氮化鎵電源方案認證款：U8722BAS+U7612B 上次給大家介紹了20W氮化鎵單電壓的應用方案，立馬就有小伙伴發出了全電壓應用方案的需求。深圳銀聯寶科技有求必應，PD 20W氮化鎵電源方案全電壓認證款：U8722BAS+U7612B方案來咯！ 主控氮化鎵電源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。U8722BAS的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能 查看詳情
- 05-21 2025
- 氮化鎵GaN快充芯片U8732輕松應對充電問題 氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比，性能遙遙領先。它支持多種快充協議，如PD、QC等，能夠智能識別設備所需的充電功率，實現快速充電。無論是蘋果手機、安卓手機，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵充電器都能輕松應對，一充搞定。充電器自然離不開芯片的支持，今天主推的就是來自深圳銀聯寶科技的氮化鎵GaN快充芯片U8732！ 氮化鎵GaN快充芯片U8732特點： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 4.谷底鎖定模式， 查看詳情
- 05-20 2025
- 30W單高壓耐壓700V氮化鎵電源ic U8724AH CS管腳通常用于采樣電感電流，實現峰值電流控制，并且可以限制最大輸入電流，從而實現過流保護功能。此外，CS管腳還可以用于設定系統的最高工作頻率。通過連接不同阻值的RSEL電阻，可以設定不同的系統工作頻率上限。氮化鎵電源icU8724AH復用CS管腳以設定系統最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動時，氮化鎵電源icU8724AH通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統工作頻率上限。選檔判定結束后系統鎖定，每一次啟 查看詳情
- 05-19 2025
- 氮化鎵PD快充ic U8608輸入過欠壓保護電路安全運行 過壓保護和欠壓保護是維護芯片電路安全運行的關鍵功能。有些芯片會提供一個欠壓保護引腳，當欠壓保護被觸發時，該引腳會產生一個信號。通過檢測該引腳的狀態，可以判斷芯片是否處于欠壓保護狀態。深圳銀聯寶氮化鎵PD快充icU8608輸入過欠壓保護 (Line OVP/BOP)，先來看看它的引腳。 PD快充icU8608引腳特征： 1 NTC I/O 外置過溫檢測管腳 2 COMP I/O 運放輸出，在該 pin 腳和 GND 之間連接阻容網絡用于調節環路。 3 FB I/O 輸出反饋、 查看詳情
- 05-16 2025
- 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS可減少高頻噪聲和應力沖擊 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應力優化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅動電流檔位時），減緩開關動作的瞬態變化，從而減小次級側SR器件的電壓尖峰，通過分壓電阻設置驅動電流檔位（三檔可選），平衡EMI性能與效率。低驅動電流檔位可降低SR開關速度，減少高頻噪聲和應力沖擊。 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS特征： ▲集成 高壓 E-GaN ▲集成高壓啟動功能 ▲超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW ▲谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調( 查看詳情
- 05-15 2025
- 20W氮化鎵電源ic U8722SP谷底鎖定模式優化損耗 谷底鎖定模式是一種應用于開關電源如反激式拓撲、準諧振電源中的關鍵技術，其核心在于通過精確控制開關管的導通時機以降低損耗和提升系統穩定性。在深圳銀聯寶科技最新推出的20W氮化鎵電源icU8722SP中，谷底鎖定及降頻工作模式，可以有效避免負載變化時因谷底跳頻導致的變壓器工作不穩定或噪聲問題，延長器件壽命，也為系統效率帶來了一定的提升！ 氮化鎵電源icU8722SP采用峰值電流控制模式，可以自適應的工作在QR和降頻工作模式，從而實現全負載功率范圍內的效率優化。在滿載和重載工況下 查看詳情
- 05-15 2025
- 45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269 氮化鎵電源電路由于減少了元件數量和功率轉換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯寶科技作為E-GaN快充電源方案制造商，大量投入工程研發以應對各類技術挑戰，為市場提供了各種功率級和多種功能的集成解決方案，今天推薦的是銀聯寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269！ 快充電源芯片U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV (典型值6.4V)。E 查看詳情
- 05-14 2025
- 30W E-GaN高頻高性能快充電源ic U8731 GaN器件采用二維電子氣結構，能夠提供更高的電子遷移率和導電性能，因此適用于高頻應用，可以實現更高效的功率轉換。深圳銀聯寶科技研發生產的快充電源icU8731，集成700VE-GaN，高頻高性能，推薦工作頻率130KHz/220KHz，推薦最大輸出功率30W，介紹給小伙伴們！ 快充電源icU8731采用的是HSOP-7封裝，管腳說明如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能 查看詳情
- 05-13 2025
- 12V2A/3A氮化鎵電源方案U8607/U8609+同步整流芯片U7613 深圳銀聯寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標共板，方案成熟，性能可靠，可滿足更高性能要求、更低成本需求！ 氮化鎵電源芯片U8607/U8609采用原邊反饋控制，可節省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。特征如下： *原邊反饋控制，無需光耦和 TL431 *集成 700V GaN FET 驅動 *集成高壓啟動功能 * 查看詳情
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