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04-01 2025: 外置OTP自帶降功率氮化鎵快充芯片U8732 當(dāng)設(shè)備溫度超過(guò)設(shè)定閾值時(shí)，外置OTP功能會(huì)自動(dòng)觸發(fā)，降低設(shè)備功率或關(guān)閉設(shè)備，以防止過(guò)熱，這對(duì)于保護(hù)設(shè)備內(nèi)部組件和延長(zhǎng)設(shè)備壽命至關(guān)重要。在檢測(cè)到溫度升高時(shí)，設(shè)備會(huì)自動(dòng)降低功率輸出，以減少熱量產(chǎn)生，從而防止過(guò)熱。這種功能可以與OTP協(xié)同工作，提供雙重保護(hù)。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8732外置OTP自帶降功率，單高壓30W，一起了解下！氮化鎵快充芯片U8732特點(diǎn)：集成 700V E-GaN 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 谷底鎖定模式，最高查看詳情

03-31 2025: 無(wú)需輔助繞組的電流過(guò)零檢測(cè)電源芯片U6113 無(wú)需輔助繞組的電流過(guò)零檢測(cè)技術(shù)，可省去輔助繞組和VDD電容，減少外圍元件數(shù)量，還能準(zhǔn)諧振模式降低開(kāi)關(guān)損耗，集成逐周期電流限制、VDD欠壓保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)等多重安全機(jī)制。總的來(lái)說(shuō)，可顯著簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)，同時(shí)滿足高精度、高可靠性的應(yīng)用需求。銀聯(lián)寶電源芯片U6113具備此功能！為了保證系統(tǒng)工作在準(zhǔn)諧振模式下，電源芯片U6113利用檢測(cè)流經(jīng)內(nèi)部高壓MOSFET漏極和門(mén)極間寄生的米勒電容Crss的電流實(shí)現(xiàn)電流過(guò)零點(diǎn)的檢測(cè)。當(dāng)電感電流續(xù)流到零后，電感和高壓MOSFET的輸出電容開(kāi)始諧查看詳情

03-28 2025: 電源ic U5402內(nèi)置互鎖和死區(qū)保護(hù)功能增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性電源icU5402通過(guò)硬件電路實(shí)現(xiàn)雙通道輸入的信號(hào)互鎖，確保高低側(cè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)無(wú)法同時(shí)導(dǎo)通，避免功率器件（如MOSFET/IGBT）因直通電流導(dǎo)致短路損壞。U5402具有完善保護(hù)功能，包括：輸入浮空或輸入脈沖寬度不足時(shí)，輸出保持低電平。內(nèi)置互鎖和死區(qū)保護(hù)功能，可防止高低側(cè)驅(qū)動(dòng)同時(shí)打開(kāi)，同時(shí)具有高側(cè)和低側(cè) UVLO 保護(hù)，系統(tǒng)可靠性強(qiáng)。電源icU5402典型應(yīng)用： ▲功率 MOSFET / IGBT 驅(qū)動(dòng)器 ▲電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，家電 ▲照明, LED 電源 ▲感應(yīng)加熱 ▲DC-AC 查看詳情

03-27 2025: 30W氮化鎵電源ic U8608靈活配置最優(yōu)工作模式 30W氮化鎵電源icU8608集成E-GaN和驅(qū)動(dòng)電流分檔功能，通過(guò)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電流檔位，可以減少電磁干擾（EMI），優(yōu)化系統(tǒng)的整體性能和待機(jī)功耗。具體來(lái)了解一下！ ■ 集成E-GaN和驅(qū)動(dòng)電流分檔功能 30W氮化鎵電源icU8608集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值 6.35V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此U8608通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流查看詳情

03-27 2025: 恒壓模式可調(diào)線損補(bǔ)償小功率電源芯片U6215A 深圳銀聯(lián)寶電源芯片的特點(diǎn)包括高集成度、高效能、低待機(jī)功耗、多重保護(hù)功能等，適用于小型電子設(shè)備、便攜式設(shè)備等應(yīng)用場(chǎng)景。選擇合適的電源芯片需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求和設(shè)計(jì)要求來(lái)決定，如果您正在尋找一顆小功率高性能、低成本的原邊控制功率開(kāi)關(guān)芯片，試試銀聯(lián)寶6W小功率電源芯片U6215A！小功率電源芯片U6215A主要特性：內(nèi)置超高壓功率 BTJ 谷底開(kāi)通、原邊控制、系統(tǒng)效率高多模式原邊控制方式優(yōu)異的動(dòng)態(tài)響應(yīng) 集成動(dòng)態(tài)三極管驅(qū)動(dòng)電路工作無(wú)異音優(yōu)化的 EMI 性能恒流、恒壓調(diào) 查看詳情

03-26 2025: 12W電源芯片U92153使用無(wú)壓力品質(zhì)更出眾智能眼鏡的優(yōu)勢(shì)在于可以無(wú)縫替換掉普通的眼鏡，支持音頻功能，能夠取代藍(lán)牙耳機(jī)，使用方便。小米最新發(fā)布的MIJIA智能音頻眼鏡，是眼鏡又是耳機(jī)，戶外、開(kāi)車(chē)、游戲、追劇、辦公，隨時(shí)聽(tīng)音，且新增了錄音功能，充電10分鐘即可擁有數(shù)十個(gè)小時(shí)的續(xù)航。許多客戶在智能眼鏡充電賽道已經(jīng)干得熱火朝天，銀聯(lián)寶的12W電源芯片U92153，使用頻率頗高，正好推薦給感興趣的小伙伴們！為了滿足嚴(yán)苛的平均效率和待機(jī)功耗要求，12W電源芯片U92153采用了調(diào)幅控制（AM）和調(diào)頻控制（FM）結(jié)合的多模式控查看詳情

03-25 2025: 智能開(kāi)通檢測(cè)高可靠性同步整流ic U7613A 芯片的智能開(kāi)通檢測(cè)功能通常包含了開(kāi)通階段、關(guān)斷階段、閾值檢測(cè)、前沿消隱、最小關(guān)斷時(shí)間等幾個(gè)關(guān)鍵部分。同步整流icU7613A內(nèi)部集成有智能開(kāi)通檢測(cè)功能，可以有效防止反激電路中由于寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開(kāi)關(guān)誤開(kāi)通，提高了系統(tǒng)效率及可靠性。 PCB設(shè)計(jì)對(duì)同步整流的性能會(huì)產(chǎn)生顯著影響，同步整流icU7613設(shè)計(jì)同步整流電路時(shí)建議參考下圖的內(nèi)容。 1、副邊主功率回路 Loop1的面積盡可能小。 2、VDD 電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能查看詳情

03-24 2025: 適配器電源ic CY2525D可獲得更好的電壓和電流調(diào)整率芯片ic輸出電壓保持恒定的原因主要依賴于反饋控制和PWM技術(shù)。控制器根據(jù)比較器的輸出信號(hào)調(diào)整開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通時(shí)間，從而控制輸出電壓的大小。深圳銀聯(lián)寶適配器電源icCY2525D，原邊控制無(wú)需光耦及次級(jí)控制電路，采用PWM+PFM多模式混合控制，以獲得更好的電壓和電流調(diào)整率！電源ic CY2525D的啟動(dòng)電流非常小，所以在芯片開(kāi)啟前，系統(tǒng)可以以較小的功率就可以使芯片開(kāi)啟。當(dāng)芯片VDD電壓上升到開(kāi)啟閾值VDDON時(shí)，芯片開(kāi)啟，產(chǎn)生內(nèi)部使能信號(hào)，使能內(nèi)部功能模塊，從而控制系統(tǒng)進(jìn)行工查看詳情

03-21 2025: “芯”產(chǎn)品開(kāi)箱——12v1a充電器芯片U6203D 華為手機(jī)新品Pura X，稱為全球首款闊折疊屏手機(jī)，折疊起來(lái)，就變成小手機(jī)，合上很小巧，正面和背面都有屏幕。它還能擴(kuò)屏使用，橫過(guò)來(lái)用就像平板一樣體驗(yàn)。這款新品為折疊屏手機(jī)的發(fā)展打開(kāi)了新思路，或許會(huì)為未來(lái)的手機(jī)和手機(jī)配件市場(chǎng)注入新活力。深圳銀聯(lián)寶科技一如既往為各位小伙伴提供優(yōu)質(zhì)高效的手機(jī)充電器芯片，誠(chéng)意推薦這顆12v1a充電器芯片U6203D！ 12v1a充電器芯片U6203D是一款高度集成的電流模式PWM控制驅(qū)動(dòng)，內(nèi)置4A高壓MOS，適合應(yīng)用于高性能、低待機(jī)功耗、低成本離線查看詳情

03-20 2025: 65W全壓700V底部無(wú)PAD氮化鎵快充芯片U8766 深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時(shí)通過(guò)同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無(wú)PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動(dòng)和工作電流，可實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗，勢(shì)如破竹！氮化鎵快充芯片U8766集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的查看詳情