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副邊25W開關(guān)電源芯片 SF5930
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態(tài)響應(yīng)，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
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副邊25W開關(guān)電源芯片 SF5920
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態(tài)響應(yīng)，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
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原邊10W開關(guān)電源芯片 U6117SA
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原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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原邊25W開關(guān)電源芯片 SF6771T
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原邊反饋/外置MOSFET
效率滿足六級能效要求
優(yōu)化降頻技術(shù)提率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
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副邊60W開關(guān)電源芯片 U6201
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恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內(nèi)置斜率補償
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原邊6W開關(guān)電源芯片 U6117S
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效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置快速動態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作
內(nèi)置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,內(nèi)置短路保護
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原邊12W開關(guān)電源芯片 U6315
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QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜70mW。
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置專利的線損電壓補償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
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原邊6W開關(guān)電源芯片 U6215
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效率滿足六級能效要求
內(nèi)置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置短路保護
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
OTP過溫保護
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副邊65W開關(guān)電源芯片 SF5533
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副邊反饋/外驅(qū)MOSFET
效率滿足六級能效要求
優(yōu)化降頻技術(shù)提率
無異音OCP補償?shù)蛪褐剌d異音
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
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副邊18W開關(guān)電源芯片 SF5549H
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副邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置頻率抖動EMI
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原邊5W開關(guān)電源芯片 SF6022
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護
±4％恒壓恒流精度，支持高50V 輸出電壓
內(nèi)置快速動態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作，
內(nèi)置專利的線損電壓補償，提高量產(chǎn)精度
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
VDD欠壓保護（UVLO）,過壓保護及鉗位
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原邊15W開關(guān)電源芯片 SF5938S
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護
內(nèi)置專利的線損補償,提高量產(chǎn)精度
內(nèi)置快速動態(tài)響應(yīng)控制
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
支持高50V 輸出電壓
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原邊13W開關(guān)電源芯片 SF6773V
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
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隔離36W開關(guān)電源芯片 SFL950
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提高系統(tǒng)效率，異音。
內(nèi)置頻率抖動EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過流補償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
待機功耗(≤75mW)
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副邊50W開關(guān)電源芯片 SF5773
品牌：銀聯(lián)寶電子更多 +
型號：SF5773 SSR控制模式，
±5% 的恒壓精度。
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜75mW。
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副邊15W開關(guān)電源芯片 SF5539H
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效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置頻率抖動EMI
- [公司新聞]氮化鎵電源ic U8732集成恒功率和軟啟動功能2025年08月18日 15:03
- 磁芯飽和會導致變壓器線圈感抗變小，回路電流大增，從而引起開關(guān)管的損壞。想要避免這些后果，就必須確保開關(guān)電源主變壓器在工作過程中不會進入磁飽和狀態(tài)。氮化鎵電源icU8732內(nèi)部集成有軟啟動功能，在軟啟動時間TST(典型值5ms)內(nèi)，電流峰值從最小值逐步增加，避免變壓器磁芯飽和，系統(tǒng)每次重啟都會伴隨一次軟啟動過程。 氮化鎵電源icU8732主要特征： 1.集成700V E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流，待機功耗30mW 4.谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔
- 閱讀（23） 標簽：
- [公司新聞]峰值電流控制方式下的電源管理芯片U8621 設(shè)計簡化響應(yīng)快速2025年08月15日 10:52
- 峰值電流控制模式與電壓模式控制是開關(guān)電源中兩種核心控制策略。峰值電流控制通過實時采樣電感電流峰值，并與電壓誤差信號比較來調(diào)節(jié)PWM占空比，響應(yīng)速度快，簡化了補償設(shè)計，且?guī)烊幌蘖鞅Ｗo。深圳銀聯(lián)寶科技的U8621，是一款峰值電流控制方式的PWM電源管理芯片，適用于離線型的反激拓撲開關(guān)變換器，推薦給大家！ 1、系統(tǒng)啟動和靜態(tài)電流 電源管理芯片U8621的啟動電流低至10uA，啟動電路的電阻值可以高達4M，這樣使電源系統(tǒng)擁有更低的損耗；芯片靜態(tài)電流低至500uA，使得電源系統(tǒng)設(shè)計者
- 閱讀（18） 標簽：
- [公司新聞]5v2a小體積、高效率開關(guān)電源應(yīng)用方案U7711C+U9513B2025年08月14日 10:05
- 在隔離電源設(shè)計中，同步整流芯片的應(yīng)用顯得尤為重要。隔離電源需要通過變壓器實現(xiàn)輸入與輸出的電氣隔離，以確保安全。而在這個過程中，整流環(huán)節(jié)是不可或缺的。傳統(tǒng)的二極管整流雖然簡單，但效率較低，發(fā)熱嚴重。同步整流芯片的應(yīng)用，則能顯著提升整流效率，降低發(fā)熱，提高電源的可靠性和穩(wěn)定性。 銀聯(lián)寶同步整流芯片U7711C是一款用于替代反激變換器中副邊肖特基二極管的低成本、高性能同步整流功率開關(guān)，內(nèi)置超低導通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。U7711C支持Low Side配置，采用輸出直接
- 閱讀（10） 標簽：
- [公司新聞]同步整流芯片U760X系列包含U7606、U7608兩個型號2025年07月31日 14:50
- 開關(guān)電源本質(zhì)上是一種噪聲源，雖然事件持續(xù)時間很短，但如果不加以適當處理，很可能會誤觸發(fā)某些控制電路保護并引發(fā)不穩(wěn)定行為。設(shè)計人員想出了在一定時間內(nèi)關(guān)閉電流檢測比較器，直到尖峰消失，這個方法就是集成電路中引入前沿消隱(LEB)電路。深圳銀聯(lián)寶科技新推出的同步整流芯片U760X系列，也對LEB做了詳細介紹，一起看看吧！ 同步整流芯片U760XLEB時間確認 電源系統(tǒng)設(shè)計需要保證最小續(xù)流時間Tdem_min大于LEB時間，否則會產(chǎn)生電流倒灌并有可能引起炸機。確保Tdem_min12
- 閱讀（8） 標簽：
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