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[公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8722DAS可減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊2025年05月16日 11:48: 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅(qū)動(dòng)電流檔位時(shí)），減緩開關(guān)動(dòng)作的瞬態(tài)變化，從而減小次級(jí)側(cè)SR器件的電壓尖峰，通過分壓電阻設(shè)置驅(qū)動(dòng)電流檔位（三檔可選），平衡EMI性能與效率。低驅(qū)動(dòng)電流檔位可降低SR開關(guān)速度，減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊。氮化鎵PD快充芯片U8722DAS特征： ▲集成高壓 E-GaN ▲集成高壓啟動(dòng)功能 ▲超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ▲谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(; 閱讀（0）標(biāo)簽：

[公司新聞]45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U72692025年05月15日 10:56: 氮化鎵電源電路由于減少了元件數(shù)量和功率轉(zhuǎn)換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯(lián)寶科技作為E-GaN快充電源方案制造商，大量投入工程研發(fā)以應(yīng)對(duì)各類技術(shù)挑戰(zhàn)，為市場提供了各種功率級(jí)和多種功能的集成解決方案，今天推薦的是銀聯(lián)寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269！快充電源芯片U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值6.4V)。E; 閱讀（13）標(biāo)簽：

[公司新聞]30W E-GaN高頻高性能快充電源ic U87312025年05月14日 11:14: GaN器件采用二維電子氣結(jié)構(gòu)，能夠提供更高的電子遷移率和導(dǎo)電性能，因此適用于高頻應(yīng)用，可以實(shí)現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換。深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的快充電源icU8731，集成700VE-GaN，高頻高性能，推薦工作頻率130KHz/220KHz，推薦最大輸出功率30W，介紹給小伙伴們！快充電源icU8731采用的是HSOP-7封裝，管腳說明如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動(dòng)能; 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率與主動(dòng)降功率多控制功能2025年05月09日 11:32: 芯片恒功率控制，意味著無論負(fù)載變化如何，系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率，確保設(shè)備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運(yùn)行。當(dāng)檢測到系統(tǒng)溫度過高時(shí)，主動(dòng)降功率功能會(huì)啟動(dòng)，以降低系統(tǒng)溫度，防止過熱。深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主動(dòng)降功率控制功能，一起來看看！氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實(shí)現(xiàn)恒功率功能。外置溫度檢測環(huán)境溫度，當(dāng)溫度過高主動(dòng)降功率以降低系統(tǒng)溫度，保證系統(tǒng)穩(wěn)定; 閱讀（9）標(biāo)簽：

[公司新聞]ESOP-10W封裝輸入欠壓保護(hù)氮化鎵快充芯片U87662025年05月08日 15:14: 在65W氮化鎵快充設(shè)計(jì)中，輸入欠壓保護(hù)與過壓保護(hù)協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動(dòng)時(shí)仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導(dǎo)致次級(jí)電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(hù)(BOP)，采用ESOP-10W封裝！氮化鎵快充芯片U8766通過HV管腳對(duì)母線電壓進(jìn)行采樣，當(dāng)母線電壓值小于BOP保護(hù)閾值VBOP (典型值 100V)時(shí)，芯片內(nèi)部的BOP延遲計(jì)時(shí)使能，計(jì)時(shí)時(shí)間為TBOP_DELAY(典型值 80ms)，計(jì)時(shí)結(jié)束后觸發(fā)BOP保護(hù)。如果母線電壓超過BOP恢復(fù); 閱讀（14）標(biāo)簽：

[公司新聞]30~65W快充應(yīng)用CCM同步整流芯片U71062025年05月08日 09:31: 同步整流芯片U7106采用PDFN5*6封裝，是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開關(guān)，典型應(yīng)用于30~65W快充，無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。同步整流芯片U7106電路設(shè)計(jì)參考如下： 1. 副邊主功率回路 Loop1 的面積盡可能小。 2. VDD 電容推薦使用 1μF 的貼片陶瓷電容，盡量緊靠 IC，Loop2的面積盡可能小。 3. HV 到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV連接到D; 閱讀（9）標(biāo)簽：

[公司新聞]PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案：U8722AH+U77152025年05月07日 14:23: 深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協(xié)議338E。輸入規(guī)格：180V-264V 50Hz，輸出規(guī)格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。氮化鎵快充芯片U8722AH特點(diǎn)： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓啟動(dòng)功能 3.超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 4.谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz) 5.集; 閱讀（18）標(biāo)簽：

[公司新聞]SOP-7封裝20W氮化鎵快充芯片U8722SP來咯！2025年04月29日 11:14: 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵系列又雙叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化鎵快充芯片U8722SP采用SOP-7封裝，推薦最大輸出功率20W，集成MOS耐壓700V，典型應(yīng)用于快速充電器和適配器上，腳位如下： 1 GND P 芯片參考地 2 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 3 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 4 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳 5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極; 閱讀（25）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵快充芯片U8608集成多維度安全防護(hù)機(jī)制2025年04月28日 14:25: 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護(hù)機(jī)制，通過集成多維度安全防護(hù)，防止設(shè)備出現(xiàn)過充電、過放電、過電流等問題，在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安全屏障，今天具體分析一下！ ■輸入過欠壓保護(hù) (Line OVP/BOP) 氮化鎵快充芯片U8608通過DRAIN管腳對(duì)母線電壓進(jìn)行采樣，當(dāng)母線電壓值小于Line BOP 保護(hù)閾值VBOP (典型值70Vac)時(shí)，芯片內(nèi)部的Line BOP延遲計(jì)時(shí)使能，計(jì)時(shí)時(shí)間為TBOP_DELAY(典型值 80ms)，計(jì)時(shí)結(jié)束后觸發(fā)Lin; 閱讀（14）標(biāo)簽：

[公司新聞]25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH2025年04月24日 10:17: 芯片內(nèi)置Boost電路將功率開關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動(dòng)電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8723AH內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場景。U8723AH集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能！氮化鎵快充芯片U8723AH特性： ●集成高壓 E-GaN ●集成高壓啟動(dòng)功能 ●超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ●谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(2; 閱讀（11）標(biāo)簽：

[公司新聞]700V/165mΩ HV高壓啟動(dòng)頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U87662025年04月23日 14:32: 700V/165mΩ HV高壓啟動(dòng)頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機(jī)型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。氮化鎵快充芯片U8766集成了高壓啟動(dòng)功能。在啟動(dòng)階段，U8766通過芯片HV腳對(duì)VDD充電，當(dāng)VDD電壓達(dá)到VVDD_ON(典型值 12V)時(shí)，高壓供電關(guān)閉。輸出建立后，芯片供電由輔助繞組提供。在啟動(dòng)過程中，當(dāng)VDD低于3V時(shí)，高壓供電電路對(duì)VDD電容的充電電流為IHV1 (典型值 0.5mA)，小電流充電，可以; 閱讀（21）標(biāo)簽：

[公司新聞]700V/365mΩ高壓啟動(dòng)GaN快充芯片U86092025年04月21日 14:31: GaN快充芯片U8609最高工作頻率130kHz，700V/365mΩ，采用DASOP-7封裝，主推12V3A，合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，有利于降低電源尺寸。U8609采用CS Jitter技術(shù)，通過調(diào)制峰值電流參考值實(shí)現(xiàn)頻率抖動(dòng)，以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。 GaN快充芯片U8609復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。芯片啟動(dòng)時(shí)，U8609通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束; 閱讀（18）標(biāo)簽：

[公司新聞]12V單高壓20W-25W氮化鎵快充芯片U8722BAS2025年04月18日 14:39: 氮化鎵快充芯片U8722BAS復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。芯片啟動(dòng)時(shí)，U8722BAS通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束后系統(tǒng)鎖定，每一次啟動(dòng)都伴隨一次判定。氮化鎵快充芯片U8722BAS封裝類型 ASOP7-T4，引腳名稱如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢; 閱讀（15）標(biāo)簽：

[公司新聞]20W恒壓、恒功率、恒溫離線電源方案U8621+ U7610C2025年04月03日 10:37: 恒功率一般通過動(dòng)態(tài)補(bǔ)償和多模式切換等方式實(shí)現(xiàn)，通占空比動(dòng)態(tài)調(diào)整，確保輸入電壓波動(dòng)時(shí)輸出功率穩(wěn)定，另外根據(jù)FB腳電平自動(dòng)切換打嗝模式、變頻模式、恒功率模式，優(yōu)化全負(fù)載效率。銀聯(lián)寶電源芯片U8621支持快充適配器應(yīng)用，具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用元件等優(yōu)點(diǎn)。再搭配同步整流芯片U7610C，打造出一款優(yōu)質(zhì)耐用的20W恒壓、恒功率、恒溫離線電源方案！銀聯(lián)寶電源芯片U8621特性： * 固定 65K 赫茲的開關(guān)頻率 * 內(nèi)置抖頻技; 閱讀（15）標(biāo)簽：

[公司新聞]外置OTP自帶降功率氮化鎵快充芯片U87322025年04月01日 10:18: 當(dāng)設(shè)備溫度超過設(shè)定閾值時(shí)，外置OTP功能會(huì)自動(dòng)觸發(fā)，降低設(shè)備功率或關(guān)閉設(shè)備，以防止過熱，這對(duì)于保護(hù)設(shè)備內(nèi)部組件和延長設(shè)備壽命至關(guān)重要。在檢測到溫度升高時(shí)，設(shè)備會(huì)自動(dòng)降低功率輸出，以減少熱量產(chǎn)生，從而防止過熱。這種功能可以與OTP協(xié)同工作，提供雙重保護(hù)。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8732外置OTP自帶降功率，單高壓30W，一起了解下！氮化鎵快充芯片U8732特點(diǎn)：集成 700V E-GaN 集成高壓啟動(dòng)功能超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 谷底鎖定模式，最高; 閱讀（26）標(biāo)簽：

[公司新聞]65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U87662025年03月20日 15:32: 深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時(shí)通過同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動(dòng)和工作電流，可實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗，勢如破竹！氮化鎵快充芯片U8766集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的; 閱讀（22）標(biāo)簽：

[公司新聞]PD快充寬電壓應(yīng)用同步整流芯片U7610B2025年03月19日 10:45: 同步整流芯片在PD快充領(lǐng)域的應(yīng)用主要體現(xiàn)在提升效率、降低損耗以及適配小型化設(shè)計(jì)等方面。深圳銀聯(lián)寶科技同步整流芯片U7610B采用低導(dǎo)阻MOSFET替代傳統(tǒng)肖特基二極管，顯著降低導(dǎo)通損耗，高集成度設(shè)計(jì)減少外圍元件需求，簡化了電路布局！在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，同步整流芯片U7610B處于關(guān)機(jī)狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會(huì)發(fā)生高dv/dt導(dǎo)致的誤開通。當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDD_ON之后，芯片啟動(dòng)，內(nèi)部控制; 閱讀（21）標(biāo)簽：

[公司新聞]集成GaN FET的帶恒功率快充電源芯片U8733L2025年03月18日 14:51: 一些集成GaN FET的芯片能夠根據(jù)輸入電壓和負(fù)載的變化自動(dòng)調(diào)整工作模式，這種自適應(yīng)調(diào)整可以使芯片在不同的工作條件下都能實(shí)現(xiàn)恒功率輸出，同時(shí)保持較高的效率。深圳銀聯(lián)寶科技推出的集成GaN FET帶恒功率快充電源芯片U8733L，可以在充電器使用過程中，根據(jù)設(shè)備的需求提供合適的功率，提高充電效率！快充電源芯片U8733L集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實(shí)現(xiàn)恒功率功能。外置溫度檢測環(huán)境溫度，當(dāng)溫度過高主動(dòng)降功率以降低系統(tǒng)溫度，; 閱讀（28）標(biāo)簽：

[公司新聞]35W PD快充芯片U8724AHS寬幅電壓輸出超穩(wěn)的2025年02月19日 10:42: 寬幅電源的輸出電壓范圍一般在85 ~ 265VAC的標(biāo)準(zhǔn)，而普通電源的輸出電壓范圍一般在180V-240V的標(biāo)準(zhǔn)。電源的寬幅越大，輸出電壓隨負(fù)載電流變化的程度就越小，輸出電壓就越穩(wěn)定。35W PD快充芯片U8724AHS內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場景。 35W PD快充芯片U8724AHS的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片集成高壓啟動(dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng); 閱讀（51）標(biāo)簽：

[公司新聞]副邊開關(guān)電源芯片U6101S運(yùn)行平穩(wěn)功耗低2025年02月18日 14:54: 開關(guān)頻率影響電機(jī)的運(yùn)行平穩(wěn)性和效率，以及芯片的功耗和EMI性能。高頻開關(guān)可使電機(jī)運(yùn)行更平穩(wěn)、減小電感電容等元件尺寸，但會(huì)增加開關(guān)損耗。開關(guān)電源芯片U6101S集成電路內(nèi)置綠色和突發(fā)模式控制輕負(fù)載和零負(fù)載，被大量應(yīng)用在電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源上，可實(shí)現(xiàn)小于75mW的待機(jī)功率。認(rèn)證可做到90W，不認(rèn)證做非標(biāo)的可以做150W！開關(guān)電源芯片U6101S輸出規(guī)格可選擇5V-12A/1A和12V-5A/1A，自帶恒流，適用于快充充電器，如QC 2.0快充、QC3.0快充等，還可以應(yīng)用于大功率的機(jī)頂; 閱讀（19）標(biāo)簽：

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