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5V2.4A同步整流芯片TB8521
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●工作在非連續(xù)模式(DCM)的次級同步整流控制器
●內(nèi)部集成高性能N 溝道 MOSFE
●超快速開管能力的驅(qū)動電路
●啟動及靜態(tài)工作電流
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5V2A同步整流芯片TB8520
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●工作在非連續(xù)模式(DCM)的次級同步整流控制器
●內(nèi)部集成高性能N 溝道 MOSFE
●超快速開管能力的驅(qū)動電路
●啟動及靜態(tài)工作電流
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PWM 控制功率開關(guān)電源芯片U3211
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集成 650V 高壓啟動電路
多模式控制、無異音工作
支持降壓和升降壓拓?fù)?
默認(rèn) 12V 輸出（FB 腳懸空）
待機(jī)功耗低于 50mW
良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率
集成軟啟動電路
內(nèi)部保護(hù)功能：
過載保護(hù) (OLP)
逐周期電流限制 (OCP)
輸出過壓保護(hù) (OVP)
VDD 過壓、欠壓和電壓箝位保護(hù)
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PWM控制功率開關(guān)電源芯片U3210
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集成 650V 高壓啟動電路
多模式控制、無異音工作
支持降壓和升降壓拓?fù)?
默認(rèn) 12V 輸出（FB 腳懸空）
待機(jī)功耗低于 50mW
良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率
集成軟啟動電路
內(nèi)部保護(hù)功能：
過載保護(hù) (OLP)
逐周期電流限制 (OCP)
輸出過壓保護(hù) (OVP)
VDD 過壓、欠壓和電壓箝位保護(hù)
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副邊15W開關(guān)電源芯片 U6203D
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效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置頻率抖動EMI
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原邊10W開關(guān)電源芯片TB6810
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原邊反饋/外驅(qū)三極管
支持高50V輸出電壓
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償，提高量產(chǎn)精度
自動補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護(hù)
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原邊18W開關(guān)電源芯片TB6818
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原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
內(nèi)置環(huán)路補(bǔ)償，省去額外的補(bǔ)償或濾波電容
提高系統(tǒng)效率優(yōu)化降頻曲線和減小電磁干擾，可實現(xiàn)輕載無異音
多模（Multi-Mode）控制的高精度原邊反饋控制（PSR）恒流恒壓（CC/CV）控制器
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原邊12W開關(guān)電源芯片TB6806D
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效率滿足六級能效要求
低待機(jī)功耗小于75mW
原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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原邊10W開關(guān)電源芯片TB6806SA
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原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機(jī)功耗小于75mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
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原邊5W開關(guān)電源芯片TB6806S
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效率滿足六級能效要求
低待機(jī)功耗小于75mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
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原邊15W開關(guān)電源芯片U6118
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原邊反饋/外驅(qū)三極管
支持高50V輸出電壓
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償，提高量產(chǎn)精度
自動補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護(hù)
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副邊15W開關(guān)電源芯片 TB3815
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效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護(hù)
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原邊12W開關(guān)電源芯片 TB6812
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護(hù)
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副邊65W開關(guān)電源芯片 TB3865
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恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,待機(jī)功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內(nèi)置斜率補(bǔ)償
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副邊90W開關(guān)電源芯片TB3890
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頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實現(xiàn)全電壓平坦OCP
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原邊25W開關(guān)電源芯片 TB6825
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原邊反饋/外驅(qū)MOSFET
恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制
待機(jī)功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
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原邊6W開關(guān)電源芯片 TB5806
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效率滿足六級能效要求
內(nèi)置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置可編程線損電壓補(bǔ)償
自動補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置短路保護(hù)
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
OTP過溫保護(hù)
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原邊12W開關(guān)電源芯片 TB5812
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QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜75mW。
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護(hù)。
VDD欠壓保護(hù)，VDD過壓保護(hù)及鉗位。
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副邊75W開關(guān)電源芯片U6101D
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頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實現(xiàn)全電壓平坦OCP
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副邊75W開關(guān)電源芯片U6101S
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頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實現(xiàn)全電壓平坦OCP
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