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5V2A同步整流芯片TB8520
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●工作在非連續模式(DCM)的次級同步整流控制器
●內部集成高性能N 溝道 MOSFE
●超快速開管能力的驅動電路
●啟動及靜態工作電流
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60W系列 12V5A六級能效方案
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恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態響應控制
副邊反饋/外驅MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內置斜率補償
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12W系列 12V1A能效六級方案
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效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
原邊反饋,內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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10W系列 5V2A能效六級方案
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原邊反饋/內置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
內置600V 功率MOSFET
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5W系列 5V1A 能效六級方案
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效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
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副邊15W開關電源芯片 U6203D
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效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內置600V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置頻率抖動EMI
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原邊18W開關電源芯片TB6818
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原邊反饋/內置MOSFET
內置環路補償，省去額外的補償或濾波電容
提高系統效率優化降頻曲線和減小電磁干擾，可實現輕載無異音
多模（Multi-Mode）控制的高精度原邊反饋控制（PSR）恒流恒壓（CC/CV）控制器
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原邊12W開關電源芯片TB6806D
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效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
原邊反饋,內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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原邊10W開關電源芯片TB6806SA
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原邊反饋/內置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
內置600V 功率MOSFET
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原邊5W開關電源芯片TB6806S
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效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
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副邊15W開關電源芯片 TB3815
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效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內置600V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
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原邊12W開關電源芯片 TB6812
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
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副邊65W開關電源芯片 TB3865
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恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態響應控制
副邊反饋/外驅MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內置斜率補償
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副邊90W開關電源芯片TB3890
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頻率可外部編程，并內置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內置同步斜率補償
逐周期電流限制，內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現全電壓平坦OCP
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原邊25W開關電源芯片 TB6825
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原邊反饋/外驅MOSFET
恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態響應控制
待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
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副邊75W開關電源芯片U6101D
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頻率可外部編程，并內置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內置同步斜率補償
逐周期電流限制，內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現全電壓平坦OCP
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副邊75W開關電源芯片U6101S
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頻率可外部編程，并內置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內置同步斜率補償
逐周期電流限制，內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現全電壓平坦OCP
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原邊13W開關電源芯片 U6773S
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
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開關電源芯片U6112
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內置650V MOSFET。
LED開路/短路保護。
內置線輸入電壓恒流補償。
工作電流，4%恒流精底。
內置快速啟動電路，啟動電流，管腳浮空保護。
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原邊18W開關電源芯片 U6217S
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原邊反饋/內置MOSFET
內置環路補償，省去額外的補償或濾波電容
提高系統效率優化降頻曲線和減小電磁干擾，可實現輕載無異音
多模（Multi-Mode）控制的高精度原邊反饋控制（PSR）恒流恒壓（CC/CV）控制器
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