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副邊15W開關電源芯片 U6203D
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效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內置600V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置頻率抖動EMI
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原邊10W開關電源芯片TB6810
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原邊反饋/外驅三極管
支持高50V輸出電壓
內置專利的線損電壓補償，提高量產精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
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原邊18W開關電源芯片TB6818
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原邊反饋/內置MOSFET
內置環路補償，省去額外的補償或濾波電容
提高系統效率優化降頻曲線和減小電磁干擾，可實現輕載無異音
多模（Multi-Mode）控制的高精度原邊反饋控制（PSR）恒流恒壓（CC/CV）控制器
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原邊12W開關電源芯片TB6806D
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效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
原邊反饋,內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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原邊10W開關電源芯片TB6806SA
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原邊反饋/內置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
內置600V 功率MOSFET
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原邊5W開關電源芯片TB6806S
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效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
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原邊15W開關電源芯片U6118
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原邊反饋/外驅三極管
支持高50V輸出電壓
內置專利的線損電壓補償，提高量產精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
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副邊15W開關電源芯片 TB3815
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效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內置600V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
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原邊12W開關電源芯片 TB6812
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
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副邊65W開關電源芯片 TB3865
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恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態響應控制
副邊反饋/外驅MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內置斜率補償
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副邊90W開關電源芯片TB3890
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頻率可外部編程，并內置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內置同步斜率補償
逐周期電流限制，內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現全電壓平坦OCP
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原邊25W開關電源芯片 TB6825
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原邊反饋/外驅MOSFET
恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態響應控制
待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
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原邊6W開關電源芯片 TB5806
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效率滿足六級能效要求
內置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
原邊反饋/內置三極管,內置短路保護
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
OTP過溫保護
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原邊12W開關電源芯片 TB5812
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QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜75mW。
原邊反饋/內置三極管,內置專利的線損電壓補償。
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
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副邊75W開關電源芯片U6101D
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頻率可外部編程，并內置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內置同步斜率補償
逐周期電流限制，內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現全電壓平坦OCP
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副邊75W開關電源芯片U6101S
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頻率可外部編程，并內置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內置同步斜率補償
逐周期電流限制，內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現全電壓平坦OCP
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U3012(DIP-8)
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內部集成高壓功率管寬電壓輸入電壓范圍:20V 200V
外接元件少，無需外圍補償網絡能達到穩定的動態相應
低功耗與率（可達到 85%）
外接一個小功率電阻可控制峰值電流
固定的震蕩頻率加一個微調頻點以及頻率打嗝
封裝形式：DIP-8 和 SO-8
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U3012(SOP-8)
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內部集成高壓功率管寬電壓輸入電壓范圍:20V 200V
外接元件少，無需外圍補償網絡能達到穩定的動態相應
低功耗與率（可達到 85%）
外接一個小功率電阻可控制峰值電流
固定的震蕩頻率加一個微調頻點以及頻率打嗝
封裝形式：DIP-8 和 SOP-8
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原邊13W開關電源芯片 U6773S
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
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