工程師在進(jìn)行電源芯片IC 的新產(chǎn)品研發(fā)過(guò)程中，不僅需要的考慮到產(chǎn)品封裝、電路設(shè)計(jì)、散熱設(shè)計(jì)和抗電磁干擾等問(wèn)題，絕緣掩護(hù)設(shè)計(jì)也同樣是非常重要的一個(gè)設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)。本文將會(huì)簡(jiǎn)要的就絕緣掩護(hù)設(shè)計(jì)進(jìn)行分析，幫助工程師了解適配器的絕緣掩護(hù)設(shè)計(jì)要點(diǎn)。

電源芯片IC 在工作運(yùn)行的過(guò)程中，有時(shí)候會(huì)出現(xiàn)電路內(nèi)涌突然高于風(fēng)險(xiǎn)電壓的情況，為了保障電路正常運(yùn)行，就必需采取適當(dāng)?shù)慕^緣掩護(hù)技術(shù)。通常情況下，比較常見(jiàn)的絕緣掩護(hù)技術(shù)一般分為以下幾種類型：

首先我們來(lái)看電源芯片IC 附加絕緣技術(shù)。所謂的附加絕緣技術(shù)，就是獨(dú)立加到基礎(chǔ)絕緣上的，可以保障在基礎(chǔ)絕緣偶爾生效，供給對(duì)電擊的二級(jí)的掩護(hù)。但是需要注意一點(diǎn)的是，附加絕緣單層資料小厚度必需大于或等于0.4mm，這樣才能有效提供掩護(hù)保障。

種電源芯片IC 比較常見(jiàn)的絕緣技術(shù)是加強(qiáng)絕緣技術(shù)。這種技術(shù)是為了避免觸電的繁多絕緣體系之一，它在功能上等效于雙重絕緣。在使用加強(qiáng)絕緣技術(shù)進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí)，用在里邊的單層小厚度大于或等于0.4mm，這樣能夠有幾層的絕緣保障，但每層不能獨(dú)自測(cè)試。

另外，電源芯片IC 常見(jiàn)的絕緣方法是基礎(chǔ)絕緣。這種技術(shù)是避免電源芯片IC 遭到電擊的基礎(chǔ)的絕緣方法，也是教科書(shū)上介紹的比較清楚的絕緣技術(shù)，本文在這里不作過(guò)多贅述。然而，單靠基礎(chǔ)絕緣并不是的，工程師還需要通過(guò)附加絕緣和掩護(hù)接地二級(jí)掩護(hù)到達(dá)請(qǐng)求，如線圈層間絕緣。

以上就是銀聯(lián)寶科技IC廠家針對(duì)電源芯片IC 的絕緣掩護(hù)問(wèn)題而進(jìn)行的簡(jiǎn)要總結(jié)和分析，希望能夠幫助工程師在新產(chǎn)品研發(fā)的過(guò)程中更加的展開(kāi)絕緣設(shè)計(jì)。