隨著環(huán)保意識(shí)的提升，在多國(guó)政府法規(guī)積極推動(dòng)之下，促使電子產(chǎn)品對(duì)電源供應(yīng)器規(guī)格要求越來(lái)越嚴(yán)格。電源功率密度的不斷提高，對(duì)于電源次級(jí)整流的要求越來(lái)越高，整流器件從最初的肖特基管整流，發(fā)展到用同步整流開(kāi)關(guān)管替代二極管以降低功耗。今天推薦的就是一款可提高電源效率的負(fù)端同步整流芯片U7710！

負(fù)端同步整流芯片U7710是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開(kāi)關(guān)，內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。U7710 支持““共地”同步整流配置，也支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式(DCM)和準(zhǔn)諧振工作模式(QR)。U7710 采用輸出直接給VDD供電，不需要輔助繞阻，也不需要VDD電容,降低了系統(tǒng)成本。內(nèi)置智能開(kāi)通檢測(cè)邏輯防止同步整流誤導(dǎo)通。5V輸出直接給VDD供電, 無(wú)需輔助繞阻，省略了VDD電容，系統(tǒng)成本降低。

系統(tǒng)開(kāi)機(jī)以后，負(fù)端同步整流芯片U7710內(nèi)部高壓LDO從Drain管腳抽取電流向VDD電容供電。當(dāng)VDD電壓低于欠壓保護(hù)閾值后（3.2V 典型值），芯片進(jìn)入睡眠模式，同時(shí)內(nèi)部同步整流MOSFET進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)，副邊繞組電流經(jīng)內(nèi)部同步整流MOSFET的體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流。當(dāng)VDD電壓高于VDD開(kāi)啟電壓后（3.4V 典型值），芯片開(kāi)始工作。芯片內(nèi)部同步整流MOSFET只在副邊續(xù)流期間才能開(kāi)通。

開(kāi)通階段，變壓器副邊續(xù)流階段開(kāi)始時(shí)，同眇整流MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，副邊電流經(jīng)MOSFET體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流，同時(shí)在體二極管兩端形成一負(fù)向Vds電壓(<-500mV)。該負(fù)向Vds電壓遠(yuǎn)小于負(fù)端同步整流芯片U7710內(nèi)部MOSFET開(kāi)啟檢測(cè)閾值，(典型值-200mV)，故經(jīng)過(guò)開(kāi)通延遲（典型值 20nS）后內(nèi)部MOSFET開(kāi)通。

關(guān)斷階段，在同步整流 MOSFET 導(dǎo)通期間，負(fù)端同步整流芯片U7710采樣MOSFET漏-源兩端電壓 (Vds)。當(dāng)Vds電壓高于MOSFET關(guān)斷閾值(典型值-6mV)，內(nèi)部MOSFET將在關(guān)斷延遲（Td_off，約20ns）后被關(guān)斷。

在內(nèi)部同步整流MOSFET開(kāi)通瞬間，負(fù)端同步整流芯片U7710漏-源(Drain-Source)之間會(huì)產(chǎn)生電壓尖峰。為避免此類電壓尖峰干擾系統(tǒng)正常工作導(dǎo)致芯片誤動(dòng)作，芯片內(nèi)部集成有前沿消隱電路 (LEB)。在LEB時(shí)間（約1.12us）內(nèi)，關(guān)斷比較器被屏蔽，無(wú)法關(guān)斷內(nèi)部同步整流MOSFET，直至消隱時(shí)間結(jié)束。

深圳銀聯(lián)寶科技這款負(fù)端同步整流芯片U7710，推薦輸出5v2A，還有5v2.4A的U7711，5v3A的U7712，都能輕松地幫助客戶提高電源效率及功率密度的同時(shí)降低設(shè)計(jì)成本，滿足最新的能效標(biāo)準(zhǔn)。